陶瓷基片爐具有高穩定性、高人性化、低維護的特點，采用非接觸式高溫測量、真空系統過濾保護、獨特尾氣處理設計。主要用于氮化硅/氮化鋁流延基片等先進材料進行真空，脫氣、加壓致密化等，廣泛應用于航天航空、電子電器半導體等領域。
陶瓷基片爐具有高穩定性、高人性化、低維護的特點，采用非接觸式高溫測量、真空系統過濾保護、獨特尾氣處理設計。主要用于氮化硅/氮化鋁流延基片等先進材料進行真空，脫氣、加壓致密化等，廣泛應用于航天航空、電子電器半導體等領域。
陶瓷基片爐具有高穩定性、高人性化、低維護的特點，采用非接觸式高溫測量、真空系統過濾保護、獨特尾氣處理設計。主要用于氮化硅/氮化鋁流延基片等先進材料進行真空，脫氣、加壓致密化等，廣泛應用于航天航空、電子電器半導體等領域。
陶瓷基片爐具有高穩定性、高人性化、低維護的特點，采用非接觸式高溫測量、真空系統過濾保護、獨特尾氣處理設計。主要用于氮化硅/氮化鋁流延基片等先進材料進行真空，脫氣、加壓致密化等，廣泛應用于航天航空、電子電器半導體等領域。
| 裝料空間（W*H*L） | 600*600*1400 |
| 溫度均勻性 | ≤±4℃ |
| 最高工作溫度 | 2200℃ |
| 最高工作壓力 | 2MPa |
